机译:使用FinFET的SRAM读/写裕量增强
机译:接近阈值的7T SRAM单元,具有亚20纳米FinFET技术的高读写容限和低写入时间
机译:接近阈值的10T差分SRAM单元,具有三门Finfin技术的高读写余量
机译:高速和低泄漏FinFET SRAM单元具有增强的读写电压裕量
机译:基于7NM FinFET的6T SRAM细胞瞬态和DC分析性能分析
机译:体硅衬底上的新型14nm扇贝形FinFET(S-FinFET)
机译:使用FinFET和CMOS逻辑的双端口8T SRAM单元进行泄漏减少和增强的读写稳定性